场效应管

产品详情：

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（值）：44 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：12.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1200pF @ 15V
功率 - 值：1.4W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L