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年产500万颗高功率芯片!一半导体激光芯片厂商完成近2亿元A++轮融资

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来源:RFID世界网
日期:2025-03-12 10:28:43
摘要:近日,浙江华辰芯光技术有限公司(以下简称“华辰芯光”)宣布完成近2亿元人民币A++轮融资。本轮融资资金主要用于新产品研发和市场拓展。自2021年成立以来,华辰芯光3年完成5轮融资,资金金额高达5亿元。
关键词:高功率

近日,浙江华辰芯光技术有限公司(以下简称“华辰芯光”)宣布完成近2亿元人民币A++轮融资。本轮融资资金主要用于新产品研发和市场拓展。自2021年成立以来,华辰芯光3年完成5轮融资,资金金额高达5亿元。


华辰芯光成立于2021年,专注于高可靠半导体激光器芯片研发制造,针对光电产业链高端市场,核心业务为光通信、激光雷达等领域激光芯片设计与制造。公司在江苏无锡设光芯片FAB制造全资子公司,在浙江衢州设封测子公司。业务聚焦AI、低空经济、卫星通信等领域,核心产品为边发射(EEL)和垂直腔面发射(VCSEL)激光产品。目前年产500万颗高功率芯片,计划年底增至2000万颗,并依托自建的6英寸外延、制造及封测能力,与科研院所合作,推动技术升级。


半导体激光芯片产业:

国产化率不足1%的突围挑战



半导体激光芯片是光通信骨干网、激光雷达、3D传感等领域的“心脏”,但其技术壁垒极高,涉及材料、工艺、封装等多个环节的复杂整合。


据行业数据,我国在电信骨干网可调信号光源、激光雷达泵浦芯片等高端市场的国产化率不足1%,几乎完全依赖Lumentum、II-VI等欧美日企业。 

这一困境源于两大核心瓶颈: 


1.制造工艺落后:外延生长(如GaAs、InP材料)和晶圆加工技术长期受制于海外专利封锁,国内企业多停留在低端芯片代工阶段;  


2. 产业链割裂:多数厂商采用Fabless模式,设计与制造环节脱节,难以实现性能与成本的优化平衡。  


华辰芯光的IDM模式正是破局关键。通过自建6英寸GaAs和4英寸InP混合产线,公司实现了从设计到封测的全流程闭环,将产品开发周期缩短40%,同时通过“无接触FAB”工艺降低生产成本。这一模式不仅提升了国产芯片的可靠性(如激光雷达芯片寿命突破10万小时),也为大规模替代进口奠定了基础。


全球半导体激光芯片市场规模预计将在2028年突破300亿美元,而中国作为最大的应用市场,正迎来政策与需求的双重驱动。  


政策层面:国家“十四五”规划将光电子器件列为重点攻关领域,地方基金亦加大对IDM企业的扶持;  


需求层面:5G基站建设、自动驾驶激光雷达普及、低空经济(如无人机物流)等场景催生海量需求。  

小结 



华辰芯光的5轮融资不仅是资本对其技术实力的认可,更是国产半导体激光芯片产业从“跟跑”到“并跑”的缩影。在技术自主与产业链协同的驱动下,中国有望在未来5年内将高端激光芯片国产化率提升至20%以上,逐步打破“卡脖子”困局。



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