三星开发出8纳米射频（RF）工艺

今日，三星宣布开发出新一代“8纳米射频(RF)工艺技术”，强化5G通信芯片的解决方案。该技术支持5G通信的多通道和多天线芯片设计，有望为5G通信提供“单芯片的解决方案(OneChip Solution)”。

据了解，三星的8纳米射频工艺技术是对目前已经广泛使用的包括28纳米和14纳米在内的射频相关解决方案的最新补充。自2017年以来，三星为高端智能手机出货了超过5亿颗移动终端射频芯片。

“通过卓越的创新和工艺制造，我们加强了我们的下一代无线通信产品。”三星电子代工技术开发团队主管Hyung Jin Lee表示。“随着5G毫米波的扩展，对于那些在紧凑型移动终端上寻求实现更长电池寿命和出色信号质量的客户来说，三星8纳米射频将成为一个很好的解决方案。”

三星方面表示，三星的工艺优化最大限度地提高了通道移动性，同时最大限度地减少了寄生效应。由于RFeFET的性能大幅提升，射频芯片的晶体管总数和模拟/射频块的面积可以实现减小。与14纳米射频相比，由于采用RFeFET架构创新，三星的8纳米射频工艺技术将功率效率提高了35%，而射频芯片面积减少了35%。