恩智浦在美设厂生产GaN 5G 射频PA芯片

荷兰恩智浦(NXP)半导体公司周二表示，已在美国亚利桑那州钱德勒市(Chandler)开设了一家工厂，生产用于5G电信设备的氮化镓芯片。

该生产线已经雇佣约100名员工从事氮化镓(GaN)的制造工作，专门用于5G RF功率放大器。该工艺技术可以用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成电路，由于对发射功率的特殊要求，5G基站对功率放大器提出了更多需求。氮化镓凭借高频、高输出功率的优势，正在5G基站功率放大器领域得到越来越广泛的应用。

恩智浦首席执行官库尔特·西弗斯(Kurt Sievers)在主题演讲中说：“今天标志着恩智浦的一个重要里程碑。通过在亚利桑那州建立这一令人难以置信的设施并挖掘关键人才，我们能够将注意力集中在GaN技术上，作为驱动下一代5G基站基础设施的一部分。”

氮化镓是硅的替代品。这种材料是5G网络中的一个关键成分，因为它可以处理5G网络中使用的高频，同时比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空间。随着5G的发展，每个5G天线所需的射频解决方案的密度呈指数级增长,但必须保持相同的尺寸并降低功耗。GaN功率晶体管已成为满足这些需求的最佳选择，大大提高了功率密度和效率。

该公司表示，新工厂将有一个研究和开发中心，以帮助工程师加速氮化镓半导体的开发和专利申请。

恩智浦表示，预计该厂将于年底前达到全部生产能力。