FRAM RFID开创物联网时代的无源解决方案

　　8月16日，2017第12届RFID世界应用创新大会在深圳会展中心隆重举办。本次大会共邀请了300余家RFID行业产业链各环节的优秀企业、行业权威专家、RFID终端用户代表共同参与，剖析行业发展方向，共同探索行业发展新模式。富士通半导体有限公司系统存储事业部FRAM RFID高级工程师罗建先生在本次大会上以《FRAM RFID开创物联网时代的无源解决方案》为题，与会嘉宾共同探讨可无线供电的嵌入式创新RFID方案及应用。

富士通半导体有限公司系统存储事业部FRAM RFID高级工程师罗建先生

　　罗总的演讲内容主要包括，对富士通公司的介绍、可无线供电的嵌入式创新RFID芯片及FRAM的产品特点、富士通产品的应用等。

　　富士通半导体集团公司是本部位于日本的存储体芯片提供商。公司由三部分组成——存储体的设计开发的公司，晶圆代工制造服务公司和面向全球市场的客户销售服务公司。这样的体制以及严格的实验和测试,确保高稳定性能产品的稳定供货。该公司产品主要涉及FRAM三大业务领域，铁电随机存储器FRAM单体，搭载铁电的RFID产品和安全认证产品。

　　罗总表示，到2020年，预计全球将会有500亿设备接入互联网。针对物联网或嵌入式应用的市场需求，富士通今年7月推出了无电池RFID的创新性解决方案。该方案省去了RFID电池供电的需求，省去了MCU，让产品开发周期更短、开发更加容易、成本更加低廉。

　　该产品可以直接嵌入到原有的设备，并且由于减去了MCU，让其开发的产品体积更小，具有Master的SPI串口功能，可以直接控制传感器和显示屏，可应用在无源电子纸、键盘、遥控器、传感器等各种创新产品上。

　　该产品还具有一大优势，就是采用了公司的FRAM存储器。FRAM具有快速读写数据能力，如果写入2Mbit(兆比特)的数据，EEPROM需要13.4s，FLASH需要2.9s，而FRAM却仅仅只要0.5s。其次，可以被频繁擦写，一般的存储器像EEPROM的读写次数大概100万次，而FRAM可以达到10万亿次。再次，功耗低，EEPROM在写入时最大电流需要5mA，而FRAM只需要10uA。而且，FRAM具备的频繁的换写次数，高速写数据能力以及低功耗的优势满足了FRAM在工业、民用等领域的各种创新应用。

FRAM存储技术技术优势参数对比

　　据罗总介绍，FRAM应用于RFID有以下几个特点，一是耐辐射性，在强辐射的照射下数据任然可以安全存储;二是低功耗和外部元器件供电，在不稳定电源或者不需要电源状态下，任然可以实现高可靠的读写应用;三是快速读写能力，提高标签的读写吞吐量提高效率。还有，大容量可以满足大量数据的存储，同等的读写距离使应用更方便。

　　罗总称，FRAM的RFID产品包括HF和UHF，由于公司的产品具有抗辐射、快速读写的优点，因此被广泛应用于工业自动化、医疗杀菌、无电源以及很多EEPROM RFID 不能满足要求的领域。其中HF产品主要应用在FA上。UHF超高频RFID芯片产品主要应用在医疗杀菌用途上。