力晶打造物联网iRAM芯片　转型之路避开台积电

　　力晶成功转型为晶圆代工厂，更瞄准物联网(IoT)商机推出iRAM解决方案，整合嵌入式快闪存储器(eFlash)、ARM架构处理器芯片和通讯技术成为SoC整合型芯片，预计下半年出货，全面拥抱物联网时代来临。

　　力晶现在浑身上下都是“晶圆代工魂”，DRAM产品对力晶而言只是众多布局的一小块，除了继续替台系IC设计公司晶豪、钰创、力积等代工SDRAM芯片，以及协助存储器模组大厂金士顿(Kingston)代工标准型DRAM芯片外，力晶旗下的12吋晶圆厂已经全面拥抱晶圆代工产品线。

　　有别于一般晶圆代工厂只专注于生产制造而不涉及设计，力晶比较像是整合元件厂(IDM)，同时有设计和制造两个部分，旗下包括面板驱动芯片、电源管理芯片、影像感测器(CIS)、NFC芯片、车用存储器、物联网芯片等，可为客户量身订作客制化芯片，也可以直接提供整合型芯片给客户采购。

　　迎接物联网时代，台积电、联电、中芯国际半导体等陆续揭橥布局计划，从打造技术平台、制程完整度，到扮演伯乐物色具有潜力的新创公司都是目标。力晶也是默默鸭子滑水，集结旗下制程平台的技术优势，为物联网打造专用的iRAM芯片，成果有机会在2015年浮上台面。

　　所谓的iRAM芯片，是集合物联网所需要的三大技术优势，分别为低功耗的ARM架构处理器芯片、嵌入式快闪存储器(eFlash)，以及Bluetooth 4.0/NFC/Wi-Fi通讯芯片，将这三种技术做成一颗整合型芯片，目前研发进度顺利，传出下半年会进入量产。

　　物联网相关芯片极重视低功耗，因此采用ARM架构处理器芯片，台积电、联电、中芯国际等也打造超低功耗制程平台(Ultra-Low Power Platform)，但属于特殊制程的eFlash技术的重要性，在物联网时代，其实不亚于低功耗扮演的角色。

　　半导体业者分析，多数半导体晶圆代工厂在eFlash技术上都不够扎实，尤其是新崛起的大陆半导体厂eFlash技术实力都不够，即使是授权自SST等IP业者以快速取得eFlash技术，也可能因为量产的晶圆片数不够面临技术瓶颈，未来需要更多的量产经验来证明技术的可行性。

　　力晶因为一直有NAND Flash芯片产品，因此在整合eFlash技术上已经有一定的基础，在进入此技术领域上相当顺利。

　　力晶靠着从存储器厂转型为晶圆代工厂，2014年获利超过新台币100亿元，2015年获利达新台币120亿~130亿元，2016年预计也将获利超过百亿元，创下获利连续3年超过百亿元的纪录，日前向银行团筹组新台币150亿元的贷款，借此终结长期纾困。

　　DRAM产业已经走向稳定期，价格起伏有限，经历近期价格修正后，下半年DRAM价格会逐渐趋于稳定，尤其2015年预计有三星电子(Samsung Electronics)Galaxy S6和苹果(Apple)的iPhone 6S系列新机问世，将会转用3GB和2GB的Mobile DRAM芯片，也带动许多标准型DRAM芯片产能转到Mobile DRAM芯片上，带动标准型DRAM芯片跌势趋缓。

　　另外，力晶的NAND Flash芯片持续出货，台系存储器厂陆续切入低容量的NAND Flash领域，力晶和华邦、旺宏三家台厂成为台湾NAND Flash芯片三剑客，力晶也提供NAND Flash芯片给客户做成MCP芯片，主打智能型手机市场。