富士通推出新型大内存HF RFID电子标签芯片

　　富士通半导体有限公司FerVID系列RFID标签芯片又添新成员：MB89R112，专为HF（高频）RFID电子标签设计，包括9KB的FRAM（铁电RAM）存储空间。

　　该MB89R112芯片可嵌入无源RFID标签，符合ISO 15693标准。

　　富士通的FerVID芯片采用FRAM，写入速度快，高频可重写，辐射耐受性好并能在低功率条件运行。

　　公司报告指出，公司专为两个频段系列的标签（13.56MHz和860~960MHz）开发了FRAM，其应用范围广泛。比如：在工业自动化和维修部门使用的数据存储标签，能充分发挥FRAM快速写入速度和高容量的双重优势；在医药行业，为能够承受的伽马射线和电子束，所采用的具有串行接口的嵌入式芯片。

　　据富士通分析，对更大的存储容量，并能够连接RFID芯片传感器和微控制的需求正在增长，后者可作为一种改变产品的操作参数的无线操作方式，或以无线的方式来获取运输途中的环境日志。公司解释说，这些特点将有利于在汽车和电子行业，以及在飞机维修、道路、建筑和公共工程中的生产控制。新的MB89R112芯片的RFID标签解决了以上需求。

　　它有一个SPI总线接口，能让芯片（以及基于该芯片的标签）连接到传感器和微控制器。例如，该芯片可以用来记录物流环境数据，检测设备错误，修改电子显示器，改变传感器阈值，或更新固件。

　　另外MB89R112芯片作为FerVID系列的一员，其HF产品存储能力从256Bit到9KB，UHF从4KB到64KB。

　　由于芯片采用嵌入式串行接口，该系列芯片目前提供4KB UHF和9KB HF两个版本。

　　新的MB89R112芯片有望在下个月提供样品量。