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华虹NEC五大特色工艺赢得多个热点市场
作者：电子工程专辑
来源：来源网络(侵权删)
日期：2010-03-01 09:29:57
摘要：展望2010年，华虹NEC的五大特色工艺正好匹配了目前最热门的一大部分产品与应用，并将为广大客户、特别是本土客户带来高性价比的产品与服务。
虽然已是各种智能卡芯片代工市场老大，但是上海华虹NEC电子有限公司（“华虹NEC”）绝不满足于人们将之看作一家智能卡芯片的厂商。华虹NEC自 2002年停止DRAM生产、转向专业代工算起，就确立了通过特色代工工艺吸引战略客户的发展道路，并在激烈竞争的代工市场领域建立起了独特的优势。“多年前，华虹NEC第一个采用8英寸生产线来制造MOSFET等分立器件时，被当时绝大多数业内人士指责杀鸡用牛刀，然而，事实证明华虹NEC这一步棋走对了。目前华虹NEC分立器件累计出货超过100万片晶圆，这种新型代工业务模式也被竞争对手所效仿。”华虹NEC市场副总裁高峰对本刊表示。除了嵌入式非挥发性存储器外，华虹NEC还在功率器件、模拟/电源管理IC、高压CMOS以及基于SiGe（锗硅）工艺的射频等特色工艺领域不断创新，并取得了不俗的业绩。展望2010年，华虹NEC的五大特色工艺正好匹配了目前最热门的一大部分产品与应用，并将为广大客户、特别是本土客户带来高性价比的产品与服务。
从智能卡到MCU再到触摸屏
从0.35微米工艺到0.13微米工艺，华虹NEC一直保持着嵌入式非挥发性存储器技术的领先地位。目前华虹NEC正在开发的创新技术是1T（一个晶体管）快闪存储单元。“1T技术比现有技术可在更小的晶圆尺寸上实现更大容量的存储单元，特别对于768KB或以上容量的存储单元面积缩小更为显著，这正是 3G/4G手机终端的大容量SIM/JAVA卡所必需的。”高峰说道。
尽管如此，智能卡业务仅占华虹NEC不到30%收入比例，华虹NEC一方面加大其余特色工艺平台的技术创新与市场开拓，另一方面也大力将自己领先的嵌入式非挥发性存储器技术向非智能卡产品领域拓展与延伸。
将嵌入式非挥发性存储器技术拓展到MCU领域就是华虹NEC正在做的一个工作。在MCU市场，华虹NEC特别注意扶持中小型的潜力客户。“为此，我们采用了两条腿走路的方式：一方面我们与国际IP厂商合作，以服务大的客户；另一方面我们与台湾及本土IP厂商合作，引入低价位的CPU核、同时配以良好的技术支持，这对中国IC设计公司非常重要。”目前几家本土优质MCU厂商已是华虹NEC的重要培养客户。
还有一个目前非常火的市场也是华虹NEC的嵌入式非挥发性存储器工艺可以延伸的领域，这就是触摸屏市场。“触摸屏产品可以用到我们的多个工艺，包括集成嵌入式非挥发性存储器和高压CMOS的特色工艺，这一创新技术我们已开发出来，今年就开放给用户使用。”高峰透露。在LCD驱动领域，华虹NEC是很多知名芯片厂商的代工伙伴，处于该领域的业界领先地位。现在，利用这一优势工艺，结合嵌入式非挥发性存储器，华虹NEC希望能在触摸屏市场大展拳脚。
BCD工艺迎合节能环保热点
2010年最热的LED照明/背光、高端电源管理和汽车电子中都缺不了BCD（双极，CMOS和DMOS）工艺的器件，事实上，BCD基础器件已成这些热门应用的核心器件。而华虹NEC已开发和正在开发的BCD工艺技术的节点涵盖0.5μm、0.35μm、0.25μm与0.18μm，其中面向高端电源管理的“0.25/0.18umBCD”还是国家重点支持的重大科技专项项目之一。
“700VBCD是一种创新，基于该工艺制造的IC可直接工作在220V的市电下，而不用像以前那样通过多个器件来实现。这样就大大提高了效率，符合节能环保趋势。”高峰解释。他透露目前已有国内IC设计公司设计出700V的BCD器件，并正在与华虹NEC合作。而在LED照明和大尺寸LED液晶电视背光方面，华虹NEC已成功推出40V与60V的BCD工艺技术平台，客户包括国内与海外厂商。“BCD工艺技术的发展不像标准CMOS工艺那样遵循 Moore定律，而是向高压、高功率、高密度三个方向发展。”他解释。
在BCD和MOSFET的另一大应用——汽车电子市场，华虹NEC已获得了汽车电子符合性认证，正在与合作伙伴一起准备产品认证。
锗硅射频技术让无线产品更便宜
3G、WLAN/WIFI以及卫星机顶盒等都是2010年无线市场的大热，而这些终端产品中有一个占成本比例不小的器件——PA(功率放大器)。目前业界主流PA都采用砷化镓工艺，但是砷化镓工艺的代工厂数量少，代工价格也很贵，很多时候还会出现供应紧缺情况。而锗硅(SiGe)工艺比砷化镓的成本要低很多，如果能采用单管的锗硅代替后者，将为无线产业带来一次革命。华虹NEC正在作此项研究，有望在今年内取得突破。
“问题的关键是如何让锗硅工艺的性能进一步提升，而不增加太多成本。”高峰分析，“我们的策略是先在一些对性能要求不是非常苛刻的地方替代砷化镓。华虹 NEC目前正在开发0.18/0.13um锗硅工艺，将用于接收机的LNA(低噪声放大器)中，同时还会用于对讲机的PA中。”他同时透露，这个项目也是国家重点支持的项目之一，华虹NEC今后将继续开发性价比更高的锗硅射频工艺技术平台，用于更高端的产品中。
中国芯片厂商已开始在PA市场扮演重要角色，这个传统上由国际厂商主导的市场，正在RDA（锐迪科）等中国厂商的带领下向本土化供应商渗透。华虹NEC在锗硅项目上会不会再带火一家本土的IC公司呢，我们将拭目以待。
从智能卡到MCU再到触摸屏
从0.35微米工艺到0.13微米工艺，华虹NEC一直保持着嵌入式非挥发性存储器技术的领先地位。目前华虹NEC正在开发的创新技术是1T（一个晶体管）快闪存储单元。“1T技术比现有技术可在更小的晶圆尺寸上实现更大容量的存储单元，特别对于768KB或以上容量的存储单元面积缩小更为显著，这正是 3G/4G手机终端的大容量SIM/JAVA卡所必需的。”高峰说道。
尽管如此，智能卡业务仅占华虹NEC不到30%收入比例，华虹NEC一方面加大其余特色工艺平台的技术创新与市场开拓，另一方面也大力将自己领先的嵌入式非挥发性存储器技术向非智能卡产品领域拓展与延伸。
将嵌入式非挥发性存储器技术拓展到MCU领域就是华虹NEC正在做的一个工作。在MCU市场，华虹NEC特别注意扶持中小型的潜力客户。“为此，我们采用了两条腿走路的方式：一方面我们与国际IP厂商合作，以服务大的客户；另一方面我们与台湾及本土IP厂商合作，引入低价位的CPU核、同时配以良好的技术支持，这对中国IC设计公司非常重要。”目前几家本土优质MCU厂商已是华虹NEC的重要培养客户。
还有一个目前非常火的市场也是华虹NEC的嵌入式非挥发性存储器工艺可以延伸的领域，这就是触摸屏市场。“触摸屏产品可以用到我们的多个工艺，包括集成嵌入式非挥发性存储器和高压CMOS的特色工艺，这一创新技术我们已开发出来，今年就开放给用户使用。”高峰透露。在LCD驱动领域，华虹NEC是很多知名芯片厂商的代工伙伴，处于该领域的业界领先地位。现在，利用这一优势工艺，结合嵌入式非挥发性存储器，华虹NEC希望能在触摸屏市场大展拳脚。
BCD工艺迎合节能环保热点
2010年最热的LED照明/背光、高端电源管理和汽车电子中都缺不了BCD（双极，CMOS和DMOS）工艺的器件，事实上，BCD基础器件已成这些热门应用的核心器件。而华虹NEC已开发和正在开发的BCD工艺技术的节点涵盖0.5μm、0.35μm、0.25μm与0.18μm，其中面向高端电源管理的“0.25/0.18umBCD”还是国家重点支持的重大科技专项项目之一。
“700VBCD是一种创新，基于该工艺制造的IC可直接工作在220V的市电下，而不用像以前那样通过多个器件来实现。这样就大大提高了效率，符合节能环保趋势。”高峰解释。他透露目前已有国内IC设计公司设计出700V的BCD器件，并正在与华虹NEC合作。而在LED照明和大尺寸LED液晶电视背光方面，华虹NEC已成功推出40V与60V的BCD工艺技术平台，客户包括国内与海外厂商。“BCD工艺技术的发展不像标准CMOS工艺那样遵循 Moore定律，而是向高压、高功率、高密度三个方向发展。”他解释。
在BCD和MOSFET的另一大应用——汽车电子市场，华虹NEC已获得了汽车电子符合性认证，正在与合作伙伴一起准备产品认证。
锗硅射频技术让无线产品更便宜
3G、WLAN/WIFI以及卫星机顶盒等都是2010年无线市场的大热，而这些终端产品中有一个占成本比例不小的器件——PA(功率放大器)。目前业界主流PA都采用砷化镓工艺，但是砷化镓工艺的代工厂数量少，代工价格也很贵，很多时候还会出现供应紧缺情况。而锗硅(SiGe)工艺比砷化镓的成本要低很多，如果能采用单管的锗硅代替后者，将为无线产业带来一次革命。华虹NEC正在作此项研究，有望在今年内取得突破。
“问题的关键是如何让锗硅工艺的性能进一步提升，而不增加太多成本。”高峰分析，“我们的策略是先在一些对性能要求不是非常苛刻的地方替代砷化镓。华虹 NEC目前正在开发0.18/0.13um锗硅工艺，将用于接收机的LNA(低噪声放大器)中，同时还会用于对讲机的PA中。”他同时透露，这个项目也是国家重点支持的项目之一，华虹NEC今后将继续开发性价比更高的锗硅射频工艺技术平台，用于更高端的产品中。
中国芯片厂商已开始在PA市场扮演重要角色，这个传统上由国际厂商主导的市场，正在RDA（锐迪科）等中国厂商的带领下向本土化供应商渗透。华虹NEC在锗硅项目上会不会再带火一家本土的IC公司呢，我们将拭目以待。
