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Micron会同Nanya联合推出42纳米DRAM工艺技术
摘要：Micron会同Nanya联合推出42纳米DRAM工艺技术
爱达荷州博伊西市和台湾桃园县 2010-02-09(中国商业电讯)－－Micron Technology, Inc.（Nasdaq:MU）会同Nanya Technology Corporation于今天联合宣布，他们已采用其新型铜制42纳米（nm）DRAM工艺技术而成功开发2千兆位（Gb）DDR3内存设备。DDR3是包括服务器、笔记本电脑和台式计算机在内的高性能计算应用环境所采用的卓越内存技术。
转向更小的工艺几何不仅对于维持制造的低成本和高效益具有根本的重要性，而且还可为客户提供诸多的利益，包括更低的功耗、更高的性能、更大的密度和更小的芯片尺寸。与先前各代工艺的1.5伏相比，该新型42纳米工艺目前可把1.35伏作为标准、主流电压要求。降低内存功耗对于当今的服务器环境至关重要，因为其电源和冷却基础结构的成本可以与服务器设备自身的成本相比拟。随着服务器对内存要求的不断提高，估计内存功耗可高达每个模块21瓦。 在这样的应用环境下，1.35伏的电压可提供高达30%的节省，因此可降低对电源和冷却的要求。
更快的内存速度等级对于实现最大的内存性能十分重要。通过压缩工艺技术的尺寸，该新型2Gb 42纳米DDR3设备可提供改善的内存性能，速度可高达每秒1866兆位。另外，微小的芯片尺寸加之42纳米DDR3设备的2Gb密度可使模块的容量高达16GB。
“随着向42纳米的转移——并且依托于处于我们在博伊西市研发实验室实验阶段的3X纳米工艺——Micron在铜金属化和专有单元电容器技术领域的专长已使我们稳居DRAM工业设计和创新的前沿地位，” Robert Feurle，DRAM营销部的副总裁说。“该新型2Gb 42纳米设备加入我们的DRAM产品系列进一步增强了我们本已丰富的客户终端应用内存解决方案组合。”
“我们十分荣幸地向我们的客户提供该款2Gb DDR3，此为一款最具竞争力的量产DRAM设备，” Pei Lin Pai博士，Nanya的全球销售与营销副总裁兼发言人说。“Nanya计划以此款采用最新技术的设备而服务服务器和计算机市场以及消费类电子市场。”
铜：通向更高质量和可靠性的捷径
新型42纳米DRAM工艺技术采用更高效和更可靠的铜金属化技术，从而使Micron和Nanya双双处于工艺标度的前沿地位。长期以来，Micron早已认识到铜在帮助DRAM标度方面的优点，而且近十年以来一直坚持利用和潜心钻研此项技术。与其他金属化技术相比，比如铝，铜被公认为是推进工艺几何进步和增强产品性能的更具延展性、更可靠且更具成本效益的方法。随着Micron和Nanya双双携手而不断推进，进而转向其下一代3X纳米工艺技术，该两家公司必将打造出其强大的铜基地，以提供高质量和高可靠性产品。
可供性
新型2Gb 42纳米设备目前正在Micron的制造基地进行试用，样试兹定于2010年第二季度开始，并且计划于本年度的下半年投入量产。
Dr. Dobb's，2009年3月5日，服务器功耗问题—— http://www.drdobbs.com/215800830?pgno=1
相关链接
查阅Micron最新新闻的其他方式：
• Micron Innovations Blog: www.micronblogs.com
• Micron on Twitter: http://twitter.com/microntechnews
• RealSSD on Twitter: http://twitter.com/realssd
• Micron Pressroom: www.micron.com/media
关于Micron
Micron Technology, Inc.是世界领先的先进半导体解决方案提供商之一。依托于其全球性运营，Micron致力于制造和营销前沿计算、消费、联网和移动产品所用的DRAM、NAND闪存、其他半导体部件和内存模块。Micron的普通股在NASDAQ上市交易，代号为MU。欲了解有关Micron Technology, Inc.的更详尽信息，请访问www.micron.com 。
Micron Technology, Inc.的徽标可访问站点 http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950 查阅
关于Nanya
Nanya Technology Corporation，Formosa Plastics Group的成员，是先进半导体存储器领域的全球领先者，致力于DRAM产品的研发、设计、制造和销售。NTC的普通股在Taiwan Stock Exchange Corporation（TSEC）上市交易，代号为2408。该公司目前在台湾拥有200毫米工艺和300毫米工艺两套制造设施。该公司目前在台湾拥有一套200毫米工艺和一套300毫米工艺制造设施。另外，该公司还拥有一家300毫米工艺合资企业，名为Inotera Memories, Inc.，在台湾运营两套300毫米工艺制造设施。欲了解进一步详情，请访问http://www.nanya.com
Nanya Technology Corporation的徽标可访问站点http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查阅
Micron和Micron的轨道徽标是Micron Technology, Inc.的商标。所有其他商标分别为其相应所有者的财产。
本新闻稿包含有关Micron新型2Gb 42纳米DDR3设备生产及3X纳米DRAM工艺开发的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与前瞻性陈述中所含的信息存在实质性不同。请参阅Micron以汇总方式随时在Securities and Exchange Commission备案的文档，尤其是Micron最新的Form 10-K和Form 10-Q。这些文档包含且识别从总体上讲可导致Micron的实际结果与前瞻性陈述中所含信息产生实质性不同的重要因素（参见Certain Factors）。尽管我们相信前瞻性陈述中所反映的期望是合理的，但我们无法保障未来结果、活动的水平、业绩或成果。
随本新闻稿一并发行的图片可访问站点http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查阅
该图片也可从Newscom（网址为www.newscom.com ）和通过AP PhotoExpress获取。
联系人： Micron Technology, Inc.
Kirstin Bordner
(208) 368-5487
kbordner@micron.com
Nanya Technology Corporation
Pei Lin Pai博士
886-3-3281688 x1008
plpai@ntc.com.tw
转向更小的工艺几何不仅对于维持制造的低成本和高效益具有根本的重要性，而且还可为客户提供诸多的利益，包括更低的功耗、更高的性能、更大的密度和更小的芯片尺寸。与先前各代工艺的1.5伏相比，该新型42纳米工艺目前可把1.35伏作为标准、主流电压要求。降低内存功耗对于当今的服务器环境至关重要，因为其电源和冷却基础结构的成本可以与服务器设备自身的成本相比拟。随着服务器对内存要求的不断提高，估计内存功耗可高达每个模块21瓦。 在这样的应用环境下，1.35伏的电压可提供高达30%的节省，因此可降低对电源和冷却的要求。
更快的内存速度等级对于实现最大的内存性能十分重要。通过压缩工艺技术的尺寸，该新型2Gb 42纳米DDR3设备可提供改善的内存性能，速度可高达每秒1866兆位。另外，微小的芯片尺寸加之42纳米DDR3设备的2Gb密度可使模块的容量高达16GB。
“随着向42纳米的转移——并且依托于处于我们在博伊西市研发实验室实验阶段的3X纳米工艺——Micron在铜金属化和专有单元电容器技术领域的专长已使我们稳居DRAM工业设计和创新的前沿地位，” Robert Feurle，DRAM营销部的副总裁说。“该新型2Gb 42纳米设备加入我们的DRAM产品系列进一步增强了我们本已丰富的客户终端应用内存解决方案组合。”
“我们十分荣幸地向我们的客户提供该款2Gb DDR3，此为一款最具竞争力的量产DRAM设备，” Pei Lin Pai博士，Nanya的全球销售与营销副总裁兼发言人说。“Nanya计划以此款采用最新技术的设备而服务服务器和计算机市场以及消费类电子市场。”
铜：通向更高质量和可靠性的捷径
新型42纳米DRAM工艺技术采用更高效和更可靠的铜金属化技术，从而使Micron和Nanya双双处于工艺标度的前沿地位。长期以来，Micron早已认识到铜在帮助DRAM标度方面的优点，而且近十年以来一直坚持利用和潜心钻研此项技术。与其他金属化技术相比，比如铝，铜被公认为是推进工艺几何进步和增强产品性能的更具延展性、更可靠且更具成本效益的方法。随着Micron和Nanya双双携手而不断推进，进而转向其下一代3X纳米工艺技术，该两家公司必将打造出其强大的铜基地，以提供高质量和高可靠性产品。
可供性
新型2Gb 42纳米设备目前正在Micron的制造基地进行试用，样试兹定于2010年第二季度开始，并且计划于本年度的下半年投入量产。
Dr. Dobb's，2009年3月5日，服务器功耗问题—— http://www.drdobbs.com/215800830?pgno=1
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• Micron Pressroom: www.micron.com/media
关于Micron
Micron Technology, Inc.是世界领先的先进半导体解决方案提供商之一。依托于其全球性运营，Micron致力于制造和营销前沿计算、消费、联网和移动产品所用的DRAM、NAND闪存、其他半导体部件和内存模块。Micron的普通股在NASDAQ上市交易，代号为MU。欲了解有关Micron Technology, Inc.的更详尽信息，请访问www.micron.com 。
Micron Technology, Inc.的徽标可访问站点 http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950 查阅
关于Nanya
Nanya Technology Corporation，Formosa Plastics Group的成员，是先进半导体存储器领域的全球领先者，致力于DRAM产品的研发、设计、制造和销售。NTC的普通股在Taiwan Stock Exchange Corporation（TSEC）上市交易，代号为2408。该公司目前在台湾拥有200毫米工艺和300毫米工艺两套制造设施。该公司目前在台湾拥有一套200毫米工艺和一套300毫米工艺制造设施。另外，该公司还拥有一家300毫米工艺合资企业，名为Inotera Memories, Inc.，在台湾运营两套300毫米工艺制造设施。欲了解进一步详情，请访问http://www.nanya.com
Nanya Technology Corporation的徽标可访问站点http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查阅
Micron和Micron的轨道徽标是Micron Technology, Inc.的商标。所有其他商标分别为其相应所有者的财产。
本新闻稿包含有关Micron新型2Gb 42纳米DDR3设备生产及3X纳米DRAM工艺开发的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与前瞻性陈述中所含的信息存在实质性不同。请参阅Micron以汇总方式随时在Securities and Exchange Commission备案的文档，尤其是Micron最新的Form 10-K和Form 10-Q。这些文档包含且识别从总体上讲可导致Micron的实际结果与前瞻性陈述中所含信息产生实质性不同的重要因素（参见Certain Factors）。尽管我们相信前瞻性陈述中所反映的期望是合理的，但我们无法保障未来结果、活动的水平、业绩或成果。
随本新闻稿一并发行的图片可访问站点http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=7064 查阅
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联系人： Micron Technology, Inc.
Kirstin Bordner
(208) 368-5487
kbordner@micron.com
Nanya Technology Corporation
Pei Lin Pai博士
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plpai@ntc.com.tw
