英飞凌将为摩托罗拉开发3G射频芯片
作者:电子工程专辑
日期:2007-09-29 10:13:06
摘要:英飞凌科技股份有限公司宣布,公司已与摩托罗拉签署协议,将为摩托罗拉开发基于英飞凌SMARTi UE芯片的全新多模3G射频(RF)收发器单芯片。
英飞凌科技股份有限公司宣布,公司已与摩托罗拉签署协议,将为摩托罗拉开发基于英飞凌SMARTi UE芯片的全新多模3G射频(RF)收发器单芯片。
这种射频收发器是手机或其它移动无线设备的核心组件,主要功能是发送和接收数字数据。随着用户要求移动终端具备更强的多媒体功能,该射频器件将在实现支持移动内容和业务所需的数据传输速率和信令方面,发挥至关重要的作用。
英飞凌为摩托罗拉开发的这种全新射频芯片,将具备最出色的HSDPA和HSUPA性能、更低的功耗和紧凑的设计,可满足当今市场对3G业务不断增长的需求。
英飞凌副总裁兼射频引擎事业部总经理Stefan Wolff表示:“我们非常高兴与摩托罗拉建立战略合作关系,基于我们领先的SMARTi UE芯片开发先进的3G射频解决方案。这种全新的芯片不仅能够有效地缩小下一代3G终端的外形尺寸和占用空间,而且能够以最低的系统成本,实现最出色的无线性能。”
美国高德纳咨询公司研究总监Alan Brown 分析:“今后一、两年内,基于全球移动通信系统(GSM)标准的各项技术仍将占据主导地位。2006年,GSM手机的产量已接近手机总产量的70%。不过,目前市场正快速转向各种3G技术。主要的3G技术是WCDMA(包括HSPA和LTE),到2010年WCDMA手机将投入批量生产,届时其产量将占全球手机总产量的56%。”
该合作开发协议的详细条款目前仍未公布。
关于英飞凌SMARTi UE芯片
英飞凌SMARTi UE芯片支持全球所有UMTS频带组合(I-VI和VIII-X)以及四波段EDGE。这种兼容性可使手机制造商同款产品能够支持不同地区运营商的频率要求。此外,除EDGE和WCDMA模拟信号处理功能外,该芯片还集成了模拟基带电路和功率放大器以及前端控制功能。
SMARTi UE芯片符合DigRF3.09标准的数字基带接口可由基带芯片发出的高级指令进行控制。与常规射频收发器解决方案相比,这可大大节省开销。常规射频收发器解决方案常常会形成很高的基带控制与校准业务流量。SMARTi UE芯片还可通过嵌入式“实时”微控制控制整个移动终端。这不仅可以降低一层(L1)软件的复杂度,加快终端开发速度,缩短工厂校准时间,而且可以显著增强网络性能。
SMARTi UE芯片使用英飞凌130纳米CMOS批量生产工艺制造,采用6x6毫米小型BGA封装。目前,该芯片已开始试供,预计2008年下半年实现量产。
这种射频收发器是手机或其它移动无线设备的核心组件,主要功能是发送和接收数字数据。随着用户要求移动终端具备更强的多媒体功能,该射频器件将在实现支持移动内容和业务所需的数据传输速率和信令方面,发挥至关重要的作用。
英飞凌为摩托罗拉开发的这种全新射频芯片,将具备最出色的HSDPA和HSUPA性能、更低的功耗和紧凑的设计,可满足当今市场对3G业务不断增长的需求。
英飞凌副总裁兼射频引擎事业部总经理Stefan Wolff表示:“我们非常高兴与摩托罗拉建立战略合作关系,基于我们领先的SMARTi UE芯片开发先进的3G射频解决方案。这种全新的芯片不仅能够有效地缩小下一代3G终端的外形尺寸和占用空间,而且能够以最低的系统成本,实现最出色的无线性能。”
美国高德纳咨询公司研究总监Alan Brown 分析:“今后一、两年内,基于全球移动通信系统(GSM)标准的各项技术仍将占据主导地位。2006年,GSM手机的产量已接近手机总产量的70%。不过,目前市场正快速转向各种3G技术。主要的3G技术是WCDMA(包括HSPA和LTE),到2010年WCDMA手机将投入批量生产,届时其产量将占全球手机总产量的56%。”
该合作开发协议的详细条款目前仍未公布。
关于英飞凌SMARTi UE芯片
英飞凌SMARTi UE芯片支持全球所有UMTS频带组合(I-VI和VIII-X)以及四波段EDGE。这种兼容性可使手机制造商同款产品能够支持不同地区运营商的频率要求。此外,除EDGE和WCDMA模拟信号处理功能外,该芯片还集成了模拟基带电路和功率放大器以及前端控制功能。
SMARTi UE芯片符合DigRF3.09标准的数字基带接口可由基带芯片发出的高级指令进行控制。与常规射频收发器解决方案相比,这可大大节省开销。常规射频收发器解决方案常常会形成很高的基带控制与校准业务流量。SMARTi UE芯片还可通过嵌入式“实时”微控制控制整个移动终端。这不仅可以降低一层(L1)软件的复杂度,加快终端开发速度,缩短工厂校准时间,而且可以显著增强网络性能。
SMARTi UE芯片使用英飞凌130纳米CMOS批量生产工艺制造,采用6x6毫米小型BGA封装。目前,该芯片已开始试供,预计2008年下半年实现量产。