【ISSCC】日立新一代μ芯片 同时实现小型化和双面电极

嵌在SOI底板中的新一代“μ芯片”。芯片尺寸为0.15mm见方、厚7.5μm。

ISSCC 2003上发表的现有型号与此次开发的新芯片的尺寸比较。

新芯片上焊接天线时的样子（上）和芯片截面图。通过在芯片上下两面配置电极，实现了Badge Connection电极焊接。

采用SOI底板的新芯片截面构造简图。

新芯片的电路构成简图

　　日立制作所开发成功了无线标签IC“μ芯片”的新一代产品，并在ISSCC 2006上发表了技术概要（演讲序号：17.1）。新一代μ芯片的特点是尺寸小，只有0.15mm见方，厚7.5μm。而2003年ISSCC上表的μ芯片的尺寸为0.3mm，厚69μm。

　　在演讲结束后的提问时间里，美国Alien科技公司和德国英飞凌科技公司等从事无线标签开发的竞争对手的技术人员相继发问。主要问题集中在新一代μ芯片上是否集成了片上天线。如果内置片上天线，通信距离就会多出1mm。虽然与外置天线可实现的通信距离相比，1mm可以说是微不足道，但如果是需要把芯片嵌入IC卡等场合的话，有了这1mm，就可以大大提高无线标签的易用性。对此日立制作所解释说：“目前正在进行技术开发。不过，同时还考虑与外置天线型号同时提供。”

外置天线也一次性焊接

　　之所以关于天线的问题接连不断，其中一个原因就是：采用SOI底板时，一般比较难以采用外置天线。SOI底板中的电路的电极只露在芯片的上面。这种情况下，很难使用一次性在多枚芯片上焊接外置天线的“Badge Connection”工艺。如果不能使用该工艺的话，生产成本就会增加很多。

　　而此次则开发出了在使用SOI底板的同时、在芯片的上下两面同时加工电极、通过Badge Connection焊接外置天线的技术。该公司表示，除片上天线外，该技术还将运用于外置天线。目前已经证实，使用外置天线时，可确保48cm的通信距离。“使用SOI底板的新一代产品也可以每次1万左右一次性焊接外置天线。作为外置天线来说，成本的增加当然也就不多了”（日立制作所中央研究所主管研究员宇佐见光雄）。