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富士通推出配备2KbFeRAM的RFID标签芯片

作者：日经BP社

日期：2007-03-04 11:42:06

摘要：富士通推出配备2KbFeRAM的RFID标签芯片

富士通推出配备256B FeRAM的RFID标签芯片

　　富士通日前面向物流领域质量管理系统，推出了配备256B（相当于2kbit）FeRAM的RFID标签芯片（发布资料）。2005年8月1日开始销售。该公司2003年开始量产配备2KB（相当于16Kbit）FeRAM的产品，此次通过减小FeRAM容量，实现了芯片的小型化及低价格化。

与容量相比更重视成本和尺寸

　　富士通此次之所以要将FeRAM容量减小到过去的1/8，是因为“原来采用的2kB容量对于RFID标签芯片来说有些浪费”（富士通）。目前，在RFID标签芯片中配备EEPROM的主流产品的内存容量都在128B左右。256B的FeRAM能够读写相当于约256字节的数据，对于记录生鲜食品流通领域的温度等信息这样的用途来说，“我们认为这样的容量足够了”（富士通）。

　　容量减小以后，不仅缩小了芯片尺寸，价格也由老产品的80日元（样品价格）降到了50日元。“假如出货量大，售价还能再低。希望月销量能够达到500万个”（富士通）。量产已有2年有余的老产品据称已累积销售约300万个。支持频率为13.56MHz，数据通信速度和老产品同为每秒26.5Kbit，读写卡器和RFID标签之间的通信距离为70cm，比老产品大20cm。和老产品一样采用0.35μm工艺生产。芯片面积以及与老产品相比芯片面积的削减比例尚未公布。

将广泛采用耗电量及写入速度更优秀的FeRAM

　　该公司之所以在RFID标签芯片配备的内存中采用FeRAM，是因为与使用需要在写入数据时进行升压的EEPROM相比，“能够将耗电量削减至数百分之一的水平”（富士通）。假如是EEPROM，写入时需要很大的电压，如果不使用升压电路，写入时的通信距离就会小于读取时的通信距离。而FeRAM由于写入和读取原理同属一种物理现象，因此即使没有升压电路，写入时的通信距离也不会缩短。除此之外，写入速度和反复读写的耐用性方面，FeRAM也优于EEPROM。

　　富士通自1999年开始量产混载FeRAM的SoC（系统级芯片），2004年10月又率先在业界投产容量为1Mbit的FeRAM，在FeRAM的开发上投入了巨大精力。最近不仅推出了与FeRAM实现一体化封装的微控制器，还与精工爱普生联手开发新一代FeRAM，正在积极地推动FeRAM业务。

　　对于RFID标签芯片，该公司表示今后“准备支持UHF频带”，正在开发可在该频带中使用的、配备FeRAM的芯片产品。该公司在2005年6月29日于东京BigSight国际会展中心举办的“第8届嵌入系统开发技术展（ESEC）”上，展出了此次推出的芯片。（

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