2×2mm RFID天线在日问世 通信距离10cm以上
作者:日经BP社
日期:2007-03-04 11:41:36
摘要:2×2mm RFID天线在日问世 通信距离10cm以上
关键词:天线
【日经BP社报道】日本藤仓、三洋电机和日本Tachyon日前成功地联合开发出了采用晶圆级封装(WLP)技术的微波波段RFID片上天线。在日前召开的日本电子信息通信学会(信学会)2005年综合大会(地点:大阪大学;时间:2005年3月21日~24日)上进行了技术发表。芯片尺寸为2mm见方,天线所占的面积约1.2mm见方,非常小。尽管如此,传输距离却在10cm以上,在片上天线中实现了较长的传输距离。
现有的RFIC标签(无线标签)虽说IC部分仅有1mm~2mm见方,但天线部分却很大,边长约10cm左右。这次的片上天线由于是以晶圆级在硅底板上形成的,因此尺寸与IC差不多。由此就能安装到过去因无线标签太大而无法安装的物品上。
从天线的性能来说,将一台读写卡器放置在7cm距离处,以300mW的功率发送中心频率为2.39GHz的电波时具有183μW的电波接收能力。将距离提高到40cm后,电波接收能力为10μW。VSWR(电压驻波比)在2.39GHz下为1.56。据称VSWR在2以下的带宽过去为130MHz。“这次的目标就是使用2.45GHz频带的电波,向距离300mm处的设备提供10μW的电力。此目标已经实现”(藤仓)。该公司使用试制天线做了一项在距离10cm处驱动时钟的实验,结果证实了时钟的运行。“很多时钟利用约10μW的电力即可驱动”(藤仓)。
天线采用双层结构
RFID片上天线过去就有。不过,“原有的片上天线大多是在硅底板上直接形成天线。这样的话,由于在硅底板内诱发过电流后,天线性能就会受到影响,因此始终无法实现充分的通信距离”(藤仓)。
此次利用基于WLP的厚膜树脂层形成技术,把硅底板与天线分开了。同时还利用双层结构配置了天线。(记者:野泽 哲生)
现有的RFIC标签(无线标签)虽说IC部分仅有1mm~2mm见方,但天线部分却很大,边长约10cm左右。这次的片上天线由于是以晶圆级在硅底板上形成的,因此尺寸与IC差不多。由此就能安装到过去因无线标签太大而无法安装的物品上。
从天线的性能来说,将一台读写卡器放置在7cm距离处,以300mW的功率发送中心频率为2.39GHz的电波时具有183μW的电波接收能力。将距离提高到40cm后,电波接收能力为10μW。VSWR(电压驻波比)在2.39GHz下为1.56。据称VSWR在2以下的带宽过去为130MHz。“这次的目标就是使用2.45GHz频带的电波,向距离300mm处的设备提供10μW的电力。此目标已经实现”(藤仓)。该公司使用试制天线做了一项在距离10cm处驱动时钟的实验,结果证实了时钟的运行。“很多时钟利用约10μW的电力即可驱动”(藤仓)。
天线采用双层结构
RFID片上天线过去就有。不过,“原有的片上天线大多是在硅底板上直接形成天线。这样的话,由于在硅底板内诱发过电流后,天线性能就会受到影响,因此始终无法实现充分的通信距离”(藤仓)。
此次利用基于WLP的厚膜树脂层形成技术,把硅底板与天线分开了。同时还利用双层结构配置了天线。(记者:野泽 哲生)