Micromem演示用于RFID的MRAM阵列样片

　 10月12日记者获悉，经过5年的研发后，MicromemTechnologies公司(MMT)日前宣布，该公司用于射频识别芯片RFID的MRAM(磁阻随机存取存储器)芯片已经接近生产阶段。
　　MMT公司顾问Cynthia Kuper声称，MMT已具备设计和制造MRAM存储器单元的能力，Micromem公司研发团队计划开发96位存储阵列，目标瞄准RFID市场的新应用。Kuper表示，MMT当前的技术在微米级规模，并将更进一步减少，以便单元密度更加紧凑。另外，他表示MMT已解决了某些与存储有关的关键瓶颈问题，包括干扰和材料疲劳。
　　据悉，其他厂商也在争相投入MRAM技术的研发，由前摩托罗拉半导体部门独立出来的Freescale半导体公司，已推出标准的4MbMRAM产品。根据Freescale表示，该公司已经向部分客户发布了MRAM样片。