Aplus推出高性能、低电压、极低电流的RFID EEPROM IP

　　Aplus Flash Technology公司最近推出新的专门针对RFID应用的EEPROM IP。这项EEPROM IP已经由硅片验证过，采用0.35微米2P3M CMOS技术。这是Aplus首次提出针对低电流低电压操作的RFID IP。

　　基于使用非接触式技术的要求，RFID的应用需要极低的电流消耗和操作电压。虽然RFID技术已经存在超过30年了，但是该技术在货品供应链中的使用在最近几年才达到惊人的增长。RFID已经应用于银行卡，零售供应链，安全及军事跟踪。为了确保其正确性以及更大的有效范围，对某些应用品来说，RFID芯片需要在极低的操作电压下读取和接受数据。资料保持力同时也是保持资料完整的关键性指针，RFID标签会在不同的环境下经过多次读写。Aplus RFID EEPROM IP采用一种传统的2P3M CMOS工艺，该工艺技术已经经由硅片验证并且在多年量产的经验中都显示了很好的资料保存期 。

　　Aplus RFID EEPROM IP当前可以提供低功耗操作，工作电压可以低到1.8V，并且Aplus正在开发下一代RFID EEPROM IP，提供发射频率在2.4GHZ以及以上者低达1V的电压，这已是最高的RFID操作频率。这项Aplus IP将针对那些需要更长读取距离的应用而开发，寄望在2005年第一季度 推出1V工作电压的RFID EEPROM IP。

　　目前在RFID应用中，普遍采用四种频率(小于150KHz、13.56MHz、860-960MHz和2.4GHz–5.8GHz)来检测不同范围的资料。 Aplus的RFID EEPROM IP在读写操作时的低电流消耗有利于RFID应用于两个标准的频率：150KHz和13.56MHz，并且在小于10cm和小于75cm距离分别能够检测到资料。在美国，如Wal Mart、Gap以及Harley Davidson等公司采用RFID 标签读取操作均在频率13.56MHz。希望把EEPROM嵌入到RFID IC中的客户就能经由Aplus的RFID EEPROM IP获得在电流消耗，芯片面积，读写速度以及写擦次数方面的最大的优势，并且还具有宽广的操作电压范围(1.8V到5.5V)。