耗散功率 P 80 mW
输入 反向电压 VR 5 V
正向电流 IF 50 mA
集电极功耗 Pc 50 mW
集电极电流 IC 20 mA
集-射电压 VCEO 80-3000V
输出
射-集电压 VECO 5 V
工作温度 Topr -20∽!00 ℃
储存温度 Tstg -20∽!10 ℃
焊接温度 * Tsol 240 ℃
注:*.焊接时间≦5s
五:光 电 特 性 Ta=25℃
项 目 符 号 测试条件 最 小 典 型 最 大 单 位
正向压降 VF IF=10 mA - 1.3 1.6 V
输入 反向电流 IR VR=5V - - 10 μA
波长 λP I=10 mA - 940 - nm
集电极暗电流 ICEO E=0mW/cm2 VCE=20 V - - 1 μA
输出 集电极光电流 IL VCE=5V IF=10 mA 0.25 - mA
饱和压降 VCE(sat) IF=10 mA IC=0.1 mA - - 0.4 V
传输上升时间 Tr - 3 - μs
特性 下降时间 Tf
VCE=5V IC=2 mA
RL=100Ω - 2- μs
输入 反向电压 VR 5 V
正向电流 IF 50 mA
集电极功耗 Pc 50 mW
集电极电流 IC 20 mA
集-射电压 VCEO 80-3000V
输出
射-集电压 VECO 5 V
工作温度 Topr -20∽!00 ℃
储存温度 Tstg -20∽!10 ℃
焊接温度 * Tsol 240 ℃
注:*.焊接时间≦5s
五:光 电 特 性 Ta=25℃
项 目 符 号 测试条件 最 小 典 型 最 大 单 位
正向压降 VF IF=10 mA - 1.3 1.6 V
输入 反向电流 IR VR=5V - - 10 μA
波长 λP I=10 mA - 940 - nm
集电极暗电流 ICEO E=0mW/cm2 VCE=20 V - - 1 μA
输出 集电极光电流 IL VCE=5V IF=10 mA 0.25 - mA
饱和压降 VCE(sat) IF=10 mA IC=0.1 mA - - 0.4 V
传输上升时间 Tr - 3 - μs
特性 下降时间 Tf
VCE=5V IC=2 mA
RL=100Ω - 2- μs